• Laird Connectivity BL653μ模塊在貿澤開售 ,為空間受限應用提供遠程低功耗藍牙連接

    Laird Connectivity BL653μ模塊在貿澤開售 ,為空間受限應用提供遠程低功耗藍牙連接

    2021年3月3日 – 專注於引入新品並提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Laird Connectivity的全新BL653µ模塊。此係列微型、高度集成的模塊可通過NFC提供遠程低功耗藍牙連接,非常適合惡劣環境和空間受限的應用。支持多種無線功能使此模塊成為了一系列物聯網 (IoT) 應用的理想之選,包括安全醫療外圍設備、專業照明和工業IoT傳感器。 貿澤備貨的Laird Connectivity BL653µ模塊由Nordic Semiconductor nRF52833多協議片上系統 (SoC) 提供支持。此片上系統具有 Arm® Cortex®-M4F CPU、512KB閃存和128KB RAM,可滿足嚴苛的產品設計要求。BL653μ模塊支持Nordic SDK或Zephyr RTOS、AT命令集以及Laird Connectivity的smartBASIC環境,可以增強產品開發靈活性。 此器件非常小巧,只有6.3×5.6mm,能夠提供可靠的低功耗性能,支持多種可配置接口,包括UART、I²C、GPIO和USB。該模塊具有藍牙5.1網狀網絡功能以及到達角和出發角測向功能,可為具有挑戰性的射頻無線和工業物聯網應用提供卓越的性能。

    貿澤電子 藍牙連接 BL653 SoC

  • 新冠疫情前後的數字醫療保健技術

    新冠疫情前後的數字醫療保健技術

    加速轉向預判式護理 對大部分患者來説,獲得診斷的過程既熟悉又可預見。與醫生見面後,醫生進行一系列問診和檢查,然後解讀你的症狀,作出護理計劃。 但如果事情不這樣發展呢?如果不採用被動式治療,而是醫生能夠獲取數字醫療保健技術,使用從基因組分析、高級成像或可穿戴設備中捕獲的數據來識別預警信號,然後設計計劃來預防疾病發生而非治療現有疾病,情況會如何?如果可穿戴技術能在症狀出現之前就識別病毒感染的跡象並提醒人們,情況又會如何呢? 阿肯色大學醫學院數字健康與創新研究所主任Curtis Lowery博士表示:“我們正在使用數字概念讓人們遠離醫院,利用基於患者遠程監測的干預措施,在這一過程中儘早治療疾病。現在,通過電子秤、血壓計甚至脈搏血氧計傳入的數據,我們在患者家裏就可以開展治療。”在全球新冠疫情大流行的背景下,通過遠程方式評估數據和治療患者所帶來的好處,遠不止方便和節省成本這麼簡單。現在,遠程治療是一種額外的安全措施,可以真正挽救生命。 “我們正在使用數字概念讓人們遠離醫院,利用基於患者遠程監測的干預措施,在這一過程中儘早治療疾病。” Curtis Lowery 阿肯色大學醫學院 | 數字健康與創新研究所主任 早在新冠肺炎爆發前,數字醫療保健技術行業的先鋒創新者(包括ADI公司),已經在把下一代技術交到供應商手中。其中一個例子就是生命體徵監測技術,比如可穿戴設備和可聽戴設備。有了它們,即使患者離開醫生辦公室,醫生也可以毫無干擾地持續獲取數據。這樣便於醫生獲取可行的見解,更易於做出準確的診斷。ADI公司數字健康高級副總裁Pat O’Doherty表示,當前疫情催生了對公司關鍵數字健康技術產品的龐大需求。“我們極為重視醫療健康技術的生產,尤其是對抗疫前線醫療設備至關重要的技術,這些設備包括呼吸機、輸液泵、患者監測器、診斷測試機、CT掃描儀和數字X光機設備等等。” 對護理的需求 根據美國疾病控制和預防中心的數據,平均每10個美國人中就有6個患有糖尿病或心臟病等慢性疾病。這些疾病是導致美國人死亡的最主要原因,與心理健康一起,佔美國每年3.5萬億美元醫療支出的90%。再加上人口老齡化和預計的註冊護士短缺,採用新的數字健康解決方案顯得迫在眉睫。 ADI公司負責銷售和數字營銷的高級副總裁Martin Cotter指出:“醫療保健系統面臨非常嚴峻的財政困難,如果我們不進行干預,將其轉向以患者為中心,最終將導致患者護理質量的下降。這意味着需要提高這一生態系統中每一方的效率,無論是醫生、供應商、買方還是患者。” 醫療保健成本上升 美國的醫療保健支出是世界上最高的,而且預計在未來幾年,成本只會增加。 憑藉在開發生命體徵監測傳感器方面數十年的專業經驗,ADI公司正在實現下一代可穿戴設備,為數字醫療保健技術行業(及患者)帶來更光明的前景。想象一下糖尿病患者採用傳統手指測試(通常一天多次)監測血糖水平並注射胰島素。再設想一下不顯眼的傳感器,它貼在皮膚表面進行持續的測量,並提供關於患者健康狀況的不間斷視圖。 這樣的設備改善了糖尿病患者的生活質量,醫生也被賦予了某種權力,可以幫助患者更好地管理自己的疾病,甚至可能延緩病情進展。 Martin Cotter稱:“對患者長期監測要好過僅在可控臨牀環境中進行監測。將現實世界的情況納入其中,可以提供更準確的數據,讓醫生更好地管理患者健康。一個更激動人心的提議是對慢性疾病進展進行無創追蹤,這樣我們可以在某一天讓患者不再需要某種特定藥物。” 儘管已經有了一些可用的持續監測方案,這項技術還沒有在整個行業全面普及,這就為各種形式的創新敞開了大門。ADI公司的可穿戴健康監測器類似於常見的智能手錶,但會不斷提取穿戴者的心率、體温和其他生命體徵數據。它可以戴在手腕上,也可以像貼片一樣貼在皮膚上,將測量到的數據存儲在SD卡上,或通過無線方式將數據發送到智能設備。ADI的可穿戴健康監測器結合了嵌入式傳感器、處理能力和無線通信,可成為下一代數字健康的模型。 ADI公司還與一家納米傳感器即時診斷技術的領先公司合作,提供快速病毒和細菌測試技術,這些技術可能對新冠肺炎和未來傳染性疾病的檢測和預防產生重大影響。 “健康護理正迅速走出醫院,走向家庭,這就產生了對新一代更小、更易使用、成本更低的臨牀級技術產品的需求。由於新冠肺炎的疫情,這一根本性變化正在加速,我們正在考慮將我們的研發投資優先滿足這一新的需求。” Patrick O’Doherty ADI公司 | 數字醫療健康高級副總裁 可穿戴的護理 可穿戴設備很快會允許患者持續監測各種健康參數,從而推動更具預防性的護理方法。同時,無線連接將為醫生提供連續的數據流。 關注圖像 儘管健康護理領域的一些最重大機遇將出現在家庭中,但用於醫院和臨牀環境的儀器設備也在升級。X射線和CT掃描等常見測試背後的技術正變得更加敏感和精確,從而產生分辨率更高、噪聲水平更低的圖像。 在開發能夠收集數據的信號處理和傳感器(連接物理世界和數字世界)方面,ADI公司有着深厚的經驗,因而在這一領域發揮着同樣重要的作用。ADI公司精密技術與平台副總裁Jen Lloyd表示:“在CT掃描中,精確的傳感可以加快掃描時間,減少對患者的輻射劑量。同時,人工智能也可以應用到圖像,提請醫生注意某些關鍵領域,提高他們的工作效率。” 健康行業的圖景 數字成像解決方案在支持醫生決策的同時提高了醫院的效率。 O’Doherty解釋説,精確的成像、臨牀級的生命體徵監測和改進的數字醫療保健技術正在幫助醫生提高診斷的準確性,並讓人們能夠更有效地管理慢性疾病。但最終目的是完全從被動式醫療轉變為預判式醫療,從而提高人們的生活質量,減輕醫療保健系統的壓力。 “我看到從業者對數字技術的渴望,這種技術可以幫助管理醫療保健的成本,縮短患者病程,或者在病症變得嚴重之前將其治癒。我認為,在未來幾十年,無論是在大型機器診斷層面,還是在人類日常生活層面,醫療保健領域都可能出現爆炸式增長。” Vincent Roche ADI公司 | 總裁兼首席執行官 要跟上爆炸式增長的步伐,不僅需要在數字健康方面進一步投資,還需要技術合作夥伴開發的先進健康、成像和生命體徵測量解決方案,這些技術合作夥伴已經在推動這一轉型。

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  • 華域三電與羅姆成立“技術聯合實驗室”並舉行啓動儀式

    華域三電與羅姆成立“技術聯合實驗室”並舉行啓動儀式

    中國知名汽車空調製造商——華域三電汽車空調有限公司(Sanden Huayu Automotive Air-Conditioning Co., Ltd.,以下簡稱“華域三電”)與全球知名半導體制造商——羅姆(ROHM Co., Ltd.,以下簡稱“羅姆”)在位於中國上海的華域三電總部成立了“技術聯合實驗室”,並於2021年1月舉行了啓動儀式。 華域三電 總經理 王駿(右)與羅姆半導體(上海)有限公司 董事長 藤村 雷太(左)在啓動儀式上互贈紀念品 華域三電和羅姆自2018年開展技術交流以來,雙方在採用IGBT等先進功率元器件的車載應用產品開發方面建立了合作關係。經過兩年多的技術交流,採用了羅姆IGBT功率元器件以及周邊部件的電動壓縮機於2020年10月成功投入量產。 此次成立的聯合實驗室配備了包括可以對以汽車空調為中心的車載應用進行評估的測試設備、以及能夠進行元器件評估的測試裝置等重要設備。 未來,雙方將會進一步加強合作關係,不僅是羅姆的功率元器件、還會進一步推進對組合了驅動IC和周邊部件的IPM的評估,加速創新型解決方案的開發。 華域三電總工程師 姚奕表示:“自2018年羅姆為華域三電推介功率元器件產品以來,雙方包括高層在內的交流不斷加深。作為兩年多技術交流的成果,華域三電開發出採用了IGBT的車載應用並在2020年成功實現量產,對此我們表示非常高興。該聯合實驗室的成立,表明兩家公司之間的合作關係進一步加深,我們期待通過完善的設備,得到更出色的技術支持。” 羅姆董事高級執行官CSO業務統括 伊野和英博士表示:“我們很高興能夠與汽車空調領域的先進企業——華域三電成立聯合實驗室。羅姆正在推進從Si功率元器件(IGBT、MOSFET)到SiC功率元器件等豐富的先進元器件開發,同時,通過與驅動IC等外圍元器件相結合的電源解決方案,獲得了傲人的實際應用業績。未來,雙方將通過聯合實驗室加強合作關係,憑藉結合客户需求以及市場動向的電源解決方案為汽車技術革新做貢獻。”

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  • Phoenix Contact單對以太網連接器在貿澤開售

    Phoenix Contact單對以太網連接器在貿澤開售

    2021年3月2日 – 專注於引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售Phoenix Contact的單對以太網 (SPE) 連接器。此係列SPE連接器通過單對雙絞線和數據線供電 (PoDL) 在以太網上實現並行的高性能數據和電源傳輸。 SPE連接器支持傳感器與雲端的一致以太網通信,並具有適用於工業4.0和工業物聯網 (IIoT) 的關鍵技術。藉助於此全新網絡技術,即使在複雜的工業和IoT應用中,也能實現一致的IP通信和供電。此係列連接器支持最遠達1,000米的傳輸距離和高達1 Gbps的數據傳輸速率,提升了設計靈活性。 SPE開啓了嶄新的應用領域,讓智能設備通信成為可能。憑藉其出色的傳輸特性,即使在遠距離傳輸中,SPE系列也能支持符合未來需求的網絡通信。隨着節約資源、器件小型化等趨勢的帶動,SPE可通過小尺寸電纜為電子元件提供更多發展空間。 Phoenix Contact為單對以太網系統聯盟的創始成員之一。這個由業界知名技術公司組成的聯盟旨在促進SPE技術在行業中的普及,並建立統一的標準。SPE連接器符合 IEC 63171-2 和-5標準,適用於樓宇和工業自動化、機器人技術、鐵路和照明等應用。

    貿澤電子 以太網 連接器 貿澤電子

  • Teledyne SP Devices宣佈推出持續數據傳輸速率為7 GB/s的12位數字化儀

    Teledyne SP Devices宣佈推出持續數據傳輸速率為7 GB/s的12位數字化儀

    瑞典林雪平市 - Media OutReach - 2021年2月9日 - Teledyne技術公司的業務部門Teledyne SP Devices今天宣佈發佈ADQ32和ADQ33,這是針對高通量應用進行了優化的第四代模塊化數據採集板。憑藉板載開放式現場可編程門陣列(FPGA)和高速數據流的結合,即使在對於計算要求最苛刻的應用環境下,ADQ32和ADQ33堪稱是理想的選擇。 ADQ32雙通道12位數字轉換器支持每通道2.5 Gb/s的同步採樣,而ADQ33則支持每通道1 GS/s的同步採樣,並具有開放的Xilinx Kintex Ultrascale KU040現場可編程門陣列(FPGA) 。這兩款數字化儀為高容量應用而優化,因此適合原始設備製造商(OEM)在掃描源光學相干層析成像(SS-OCT)、飛行時間質譜(ToF-MS)和分佈式光纖傳感(DOFS)等領域進行集成。ADQ33不受出口管制,因此不需要任何許可證。 使用者可在板載FPGA中實時執行定製的專用數字信號處理(DSP),以表徵信號並提取有價值的信息。它還可用於執行數據縮減,以便輸出速率與PCI Express接口的7 G/s持續傳輸容量相匹配。接着,可以在主PC的中央處理單元(CPU)上對數據進行後處理,或通過點對點傳輸到圖形處理單元(GPU)。 這種體系結構提供了極大的靈活性,允許設計者在委派的任務中,使用最合適的處理資源類型。專用DSP的示例包括用於SS-OCT的快速傅立葉變換(FFT)和k空間重映射,以及用於ToF MS的波形平均和零抑制。 除了高流率和計算靈活性之外,ADQ32還具有出色的模擬性能,包括有效位數(ENOB),無雜散動態範圍(SFDR)等。硬件觸發、內部/外部時鐘選擇和通用輸入/輸出(GPIO)簡化了系統級集成。有關完整規格,請參閲資料表。

    Teledyne SP Devices 數字轉換器 數字信號 數字化儀

  • 貿澤電子新品推薦:2021年2月

    貿澤電子新品推薦:2021年2月

    2021年3月1日 – 致力於快速引入新產品與新技術的業界知名分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) ,首要任務是提供來自1100多家知名新世代集運查詢物流的新產品與技術,幫助客户設計出先進產品,並加快產品上市速度。貿澤旨在為客户提供全面認證的原廠產品, 並提供全方位的製造商可追溯性。 上個月,貿澤總共發佈了超過436 款新品,這些產品均可在訂單確認的當天發貨 。 貿澤上月發佈的部分產品包括: · Renesas Electronics RA2E1 MCU Renesas RA2E1 MCU搭載48 MHz Arm® Cortex®-M23內核,提供最高128 KB的代碼閃存和16 KB的SRAM存儲器。 · Molex Mini-Fit Versa彩色連接器 Molex Mini-Fit Versa彩色連接器提供可視色彩搭配以減少組裝錯誤,並幫助確保端子完全卡入,避免最終產品故障。 · Bourns千兆以太網Chip LAN變壓器模塊 Bourns千兆以太網Chip LAN變壓器模塊與傳統密封式外殼LAN變壓器的引腳兼容,具有低矮外形以及出色的共面性。 · Laird Connectivity GNS1559MPF Mini GNSS Laird Connectivity GNS1559MPF Mini GNSS提供50Ω標稱阻抗額定值,可輕鬆安裝在需要全球導航的車輛或建築物中。

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  • ADI 高功率硅開關可節省大規模 MIMO RF 前端設計中的偏置功率和外部組件

    ADI 高功率硅開關可節省大規模 MIMO RF 前端設計中的偏置功率和外部組件

    多輸入、多輸出 (MIMO) 收發器架構廣泛用於高功率 RF 無線通信系統的設計。作為邁入 5G 時代的一步,覆蓋蜂窩頻段的大規模 MIMO 系統目前正在城市地區進行部署,以滿足用户對於高數據吞吐量和一系列新型業務的新興需求。高度集成的單芯片射頻收發器解決方案 (例如,ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009產品系列) 的面市促成了此項成就。在此類系統的 RF 前端部分仍然需要實現類似的集成,意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本),從而容納更多的 MIMO 通道。 MIMO 架構允許放寬對放大器和開關等構建模塊的 RF 功率要求。然而,隨着並行收發器通道數目的增加,外圍電路的複雜性和功耗也相應升高。ADI 採用硅技術的新型高功率開關專為簡化 RF 前端設計而研發,免除外圍電路的需要並將功耗降至可忽略不計的水平。ADI 採用硅技術的新型高功率開關為 RF 設計人員和系統架構師提供了提高其系統複雜度的靈活性,且不會讓 RF 前端成為其設計瓶頸。 在時分雙工 (TDD) 系統中,天線接口納入了開關功能,以隔離和保護接收器輸入免受發送信號功率的影響。該開關功能可直接在天線接口上使用 (在功率相對較低的系統中,如圖 1 所示),或在接收路徑中使用 (針對較高功率應用,如圖 2 所示),以保證正確接至雙工器。在開關輸出上設有一個並聯支路將有助改善隔離性能。 圖 1.天線開關。 圖 2.LNA 保護開關。 基於 PIN 二極管的開關具備低插入損耗特性和高功率處理能力,一直是首選解決方案。然而,在大規模 MIMO 系統的設計中,它們需要高偏置電壓以施加反向偏置 (用於提供隔離) 和高電流以施加正向偏置 (用於實現低插入損耗),這就變成了缺點。圖 3 示出了一款用於基於 PIN 二極管的開關及其外設的典型應用電路。三個分立的 PIN 二極管通過其偏置電源電路施加偏置,並通過一個高電壓接口電路進行控制。 圖 3.PIN 二極管開關。 ADI 的新款高功率硅開關更適合大規模 MIMO 設計。它們依靠單 5 V 電源供電運行,偏置電流小於 1 mA,並且不需要外部組件或接口電路。圖 4 中示出了內部電路架構。基於 FET 的電路可採用低偏置電流和低電源電壓工作,因而將功耗拉低至可忽略的水平,並可在系統級上幫助熱管理。除了易用性之外,該器件架構還可提供更好的隔離性能,因為在 RF 信號路徑上納入了更多的並聯支路。 圖 4.ADRV9008/ADRV9009 硅開關。 圖 5 並排對比了單層 PCB 設計上基於 PIN 二極管的開關和新型硅開關的印刷電路板 (PCB) 原圖。與基於 PIN 二極管的開關相比,硅開關所佔用的 PCB 面積不到其 1/10。它簡化了電源要求,且不需要高功率電阻器。 圖 5.基於 PIN 二極管的開關設計與硅開關的並排比較。 ADI 的高功率硅開關能夠處理高達 80 W 的 RF 峯值功率,這足以滿足大規模 MIMO 系統的峯值平均功率比要求,並留有裕量。表 1 列出了 ADI 專為不同的功率級別和各種封裝類型而優化的高功率硅開關係列。這些器件繼承了硅技術的固有優勢,而且與替代方案相比,可實現更好的 ESD 堅固性和降低部件與部件間的差異。 表 1.ADI 新推出的高功率硅開關係列 大規模 MIMO 系統將繼續發展,並將需要進一步提高集成度。ADI 的新型高功率硅開關技術很適合多芯片模塊 (MCM) 設計,將LNA 一起集成,以提供面向 TDD 接收器前端的完整、單芯片解決方案。另外,ADI 還將調高新設計的頻率,並將引領針對毫米波 5G 系統的相似解決方案。隨着ADI 將其高功率硅開關產品系列擴展到了 X 波段頻率和更高的常用頻段,電路設計人員和系統架構師還將在其他應用 (例如相控陣系統) 中受益於 ADI 新型硅開關,

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  • 無線充電技術標準來了!無線充電技術能否一飛沖天?

    無線充電技術標準來了!無線充電技術能否一飛沖天?

    眾所周知,現在我們一旦要出門,手機肯定是必不可少的工具之一,可以説離開了手機寸步難行。但是隨着手機耗電量越來越快,很難有手機的續航能支撐兩天,一般情況下,我們使用一天或者大半天就會產生電量焦慮。隨着手機技術的不斷髮展,人們對手機充電的性能需求日益增長,焦點漸漸鎖定在了“無線充電”身上。但現在出現的無線充電器仍然需要將手機放置到充電器的託座上,無法擺脱束縛。手機無線充電技術由於不需要連接充電線,這些年發展非常迅速。但是,隨着產品的使用,人們也發現了不少缺點。那無線充電到底是充電神器還是宣傳噱頭? 眾所周知,無線充電技術(英文:Wireless charging technology;Wireless charge technology )源於無線電能傳輸技術,可分為小功率無線充電和大功率無線充電兩種方式。小功率無線充電常採用電磁感應式,如對手機充電的Qi方式,但中興的電動汽車無線充電方式採用感應式 [1] 。大功率無線充電常採用諧振式(大部分電動汽車充電採用此方式)由供電設備(充電器)將能量傳送至用電的裝置,該裝置使用接收到的能量對電池充電,並同時供其本身運作之用。由於充電器與用電裝置之間以磁場傳送能量,兩者之間不用電線連接,因此充電器及用電的裝置都可以做到無導電接點外露。 市面上無線充電的手機主要是採用電磁感應原理來實現無線充電的。充電器和手機之間沒有接口。手機內置了接收線圈,充電器內置了發送線圈。它們之間通過電磁感應將電量充入手機。無論你買什麼品牌的手機,只要兼容充電頭的無線充電標準,基本都能充電。在使用場景上,由於省去了有線充電的“插拔”動作,很多用户早上到公司工位,手機往往會被放到無線充電器上,隨用隨取,隨放隨充,這樣的情況下,白天手機幾乎時刻在滿電狀態,高功率無線充電更加沒有必要了。 近日,工信部一份《無線充電(電力傳輸)設備無線電管理暫行規定(徵求意見稿)》(以下簡稱意見稿)的出爐,引起網友熱議。工信部在意見稿中表示,自2022年1月1日起,所有生產、進口在國內銷售、使用的移動和便攜式無線充電設備額定傳輸功率要求小於50W此次工信部發布的意見稿,從某種意義上來説,是給了行業的一個指導意見,有助於促進行業的規範性眾所周知,無線充電雖然可以不插線,但手機和充電器之間的距離,雖然很小。隨着各大品牌智能手機競爭的加劇,智能手機的無線充電功能也越來越受到手機新世代集運查詢物流的重視,無線充電也進入了快充時代,這次意見稿的發佈,在功率方面對品牌起到了引導作用,品牌的發展方向將有望從“追求如何達到最高功率”,改為“如何維持高功率傳輸”,未來將推動自身科研水平穩中求變,在商業化方面發展新思路,拓寬新渠道,構建多元化應用場景,引導企業在新規定中尋求新的創新,從而能夠大大推動無線充電技術的發展,更好地賦能消費者的生活。 從上游生產到用户習慣,從政策到新世代集運查詢物流技術,無線充電器目前產業鏈已經非常成熟,手機取消有線充電,徹底擺脱線材束縛,可能比我們預想的更早到來。在不久的將來,隨着科技的進步,真正的無線隔空充電一定會成為現實,我們一定會實現充電自由!

    模擬技術 無線 無線充電

  • 中國已是全球規模最大,什麼時候才能實現“中國芯,中國造”?

    中國已是全球規模最大,什麼時候才能實現“中國芯,中國造”?

    我們經常碰到“芯片”、“集成電路”、“半導體”這幾個術語,這些詞在我們日常的討論中經常是混用的,硬要區分的話,可以説集成電路是更廣泛的概念。據數據統計,中國集成電路產品連續多年每年進口額超過2000億美元,一旦缺“芯”,可以想像會面臨什麼生產困難。用過電子產品的朋友可能都知道,芯片就是一個電子產品的心臟,沒有芯片電子產品將無法運行,就是一坨廢銅爛鐵,可想而知芯片有多重要。但是由於我國在這方面的技術起步比較晚,而且外國勢力在這方面不斷的對中國施壓,一直在對我國進行着區別對待,導致中國在電子產品的一些核心技術產品上強烈依賴進口,就連現在國內兩大公司小米和華為也沒有完全脱離過這個境地。 1958年9月12日,在美國德州儀器公司擔任工程師的Jack.Kilby發明了集成電路的理論模型。1959年,曾師從晶體管發明人之一肖克萊的Bob.Noyce率先創造了掩模版曝光刻蝕方法,發明了今天的集成電路技術。集成電路產業離普通人很近又很遠。大多數人只知道手機電腦、各行各業裏面都要用到電子器件,CPU、GPU、單片機、數控裝備、汽車都離不開芯片,但是説起芯片的設計製造,卻只有少數人知道。 中國現在面臨的問題就是能夠設計芯片,但是沒有生產,製造和封裝芯片的能力,因此全國人民上下一致大力發展芯片行業,將芯片行業的規劃本該在20多年前就開始做的事情,現在突然推上了高速公路。 那麼“芯片”為什麼這麼重要?中國芯片制 造業的短板在哪裏?我們什麼時候才能實現真正的“中國芯,中國造”?芯片設計跟芯片製造是有很大區別的,芯片設計就是在一塊芯片上哪一個位置應該放置什麼東bai西,合理的安排芯片位置。而芯片製造就是把這個芯片設計出來的圖案,通過技術給製造出來。設計只是通過大腦思考而描繪出來的一個圖案,而製造是通過這個圖案用技術以及機器的一個輔助製造出一個完整的芯片。 任正非説中國芯片設計世界領先是有原因的,任正非先生如果沒有信心的話,是不可能説中國的芯片設計能力在世界上屬於領先,任正非先生在c9高校校長座談會上補充到,華為手機目前已經積累了大量的經驗,已經具備了很強的芯片設計能力,任正非先生在特朗普宣佈制裁華為之後,就開始聚集人才專門開設製造芯片的一個人才聚集地。任正非先生敢這樣説就説明了,這個團隊已經在芯片設計能力上有了突破,所以説任正非先生才敢説出這樣的話。 2月27日,科技部部長王志剛:在科技研發方面,我們主要聚焦集成電路、軟件、高端芯片、新一代半導體技術等領域的一些關鍵核心技術和前沿基礎研究,利用國家重點研發計劃等給予支持;充分發揮企業創新主體地位,並且加大人才培養,不斷提升創新能力。 總之,集成電路產業是中國經濟高質量發展的一個重要基礎,也必然是中國研發包括科技工作的重點。因為科技的研發説快也快,説慢也慢,這個沒有辦法去預估時間,他不是説吃一頓飯,打一場球是可以預估時間的,但是無論怎樣,我們要對華為要對中國科技人員的智慧充滿信心。下一步,我們一方面願意在互利共贏的基礎上積極推動企業、高校、研究機構等各個創新主體開展國際科技合作,提升集成電路領域的科技創新能力,同時我們也會更加強化中國自己在這方面的自主研發能力,希望有更多的成果,不僅為中國的信息產業、信息化應用提供服務,也願意為全球集成電路產業發展提供支撐和服務。 在區塊鏈技術火爆的今天,礦機專用的芯片基本上已經被中國的產品所壟斷。挖礦用的芯片起初只是普通電腦的CPU,後來是GPU、FPGA芯片,再後來中國的創業者通過把其中不必要的部件都減掉,造出來專門用來挖礦的芯片,把算力和能耗發揮到極致,再加上中國強大的基礎製造體系,一舉壟斷了這個新興的市場。 在傳統芯片領域已經被巨頭壟斷的當今,一些面向專門的應用領域的芯片是中國未來實現彎道超車的重點,除了上面提到的手機芯片、礦機芯片,還有專門用於人工智能計算的AI芯片等等。對此,大家怎麼看呢?

    模擬技術 半導體 芯片 中國芯片

  • 打破海外壟斷,號稱“工業之母”數控機牀系統逆勢崛起!

    打破海外壟斷,號稱“工業之母”數控機牀系統逆勢崛起!

    眾所周知,數控機牀就是在數字控制下,能在尺寸精度和幾何精度兩方面完成金屬毛坯零件加工成所需要形狀的工作母機的總稱。數控機牀通常由控制系統、伺服系統、檢測系統、機械傳動系統及其他輔助系統組成。 數控機牀是當代機械製造業的主流裝備,國產數控機牀的發展經歷了30年跌宕起伏,已經由成長期進入了成熟期,可提供市場1,500種數控機牀,覆蓋超重型機牀、高精度機牀、特種加工機牀、鍛壓設備、前沿高技術機牀等領域,產品種類可與日、德、意、美等國並駕齊驅。特別是在五軸聯動數控機牀、數控超重型機牀、立式卧式加工中心、數控車牀、數控齒輪加工機牀領域部分技術已經達到世界先進水平。其中,五軸(座標)聯動數控機牀是數控機牀技術的制高點標誌之一。 近年來,我國製造業強勢崛起,很早以前就已經超過美國,成為全球製造業第一大國。但我國製造業規模上來了,製造技術和水平卻依然停留在中低端。 隨着數控系統技術的不斷髮展,國產系統中、低檔的性能、功能和可靠性已大幅提高,縮小了與國外的差距。從技術層面來看,國產中、低檔數控系統已基本能夠滿足國內生產數控機牀的技術要求,國產高檔系統如五軸聯動數控系統技術統也得到一定程度的發展。然而數控系統技術上的突破並不等於市場上的突破。特別是在數控系統技術正朝着智能化、開放式、網絡化方向發展的今天,日本發那科和德國西門子等國際新世代集運查詢物流生產的能夠實現多軸、多通道、高速和高精度切削、複合化加工的數控系統已經在市場上暢銷,而我國數控的產業化卻依然無法消除國內用户對國產系統可靠性的疑慮。尤其是在高端領域,國產的高檔數控系統只佔年購買量的較低,大量的高性能系統仍然依賴進口。因此,國家政府多年前就開始制定計劃,推動中國製造業向高端化、智能化邁進。但在海外技術封鎖和壟斷的情況下,想要突出重圍哪有那麼容易。 2004年6月一份廣東機牀用户的抽查情況透露,在數控機牀的各個品牌之中,用户對歐洲、日本、美國、韓國和中國台灣等數控機牀品牌的關注度已佔全部市場的60%以上。品牌知名度上的差距,導致用户在選擇加工設備時把更多的機會給了海外數控機牀行業的一些“實力派”。如哈爾濱某發動機(集團)有限公司的缸體生產線是一條全自動加工線,其粗加工選用韓國大宇重工的專機自動線,精加工則選用了英國CROSSHULLE公司的專機自動線,缸蓋加工線是由德國Cross.Huller公司製造的高速加工中心和專機自動線、德國產的全自動在線測量機、日本產的全自動密封檢測機和清洗機組成的。曲軸生產線為全自動柔性流水生產線,精加工線由日本的數控高速CBN磨牀、動平衡機、拋光機等組成。 2009年,中國啓動了“高檔數控機牀與基礎製造裝備”國家科技重大專項。華中數控開啓了大膽又細心地自主研發的艱難旅程。終於,在2016年,華中數控成功研發出華中8型數控系統。華中8型數控系統已經達到國際先進水平。2020年下半年,華中數控再傳好消息。公司自主研發的華中9型數控系統已經在武漢量產,即將推向市場。華中9型相比上一代數控系統,對於整個中國數控產業而言具有重要意義。 數控系統要更快地發展,國家應給予充分的支持,無論是政策上,還是税收上,甚至是大型設備的招標上,都要對國產數控系統傾斜,以便為國產數控系統的發展創造更大空間,避免國外產品在本土對國產數控系統造成壓制。 由於中國技術水平和工業基礎還比較落後,數控機牀的性能、水平和可靠性與工業發達國家相比,差距還是很大,尤其是數控系統的控制可*性還較差,數控產業尚未真正形成。因此加速進行數控系統的工程化、商品化攻關,儘快建成與完善數控機牀和數控產業成為當前的主要任務。立下汗馬功勞的同時,華中數控自身的業績也在迅速上漲。數據顯示,2020年華中數控實現營收近5.91億元,相比2019年上漲了57.17%。 數控系統由自動化向智能化發展是必然趨勢,智能化數控系統能智能感知加工條件和環境,並自行判斷和決策以適應外界變化,進而適應柔性和高效生產的要求。近年來,中國機牀行業經歷了飛速發展的時期,國產化數控機牀總量中所佔比例越來越高,受此趨勢影響,中國的重型、大型、超重超大型數控機牀業迎來了一個空前繁榮的時期,全世界的重、大型基礎正悄然發生着改變,中國正成為全球大、重型數控機牀的生產國及消費國。國產機牀數控化方向已成為裝備製造業發展的國策。

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  • 國際知名機構公佈全球前十半導體企業名單:美國佔6家,中國呢?

    國際知名機構公佈全球前十半導體企業名單:美國佔6家,中國呢?

    在全球芯片緊缺特別是汽車芯片嚴重告急的情況下,近期,日本發生規模7.3級大地震以及美國得克薩斯州出現冬季嚴寒風暴都對半導體產業造成了一定的影響。半導體指常温下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料,半導體可能是世界上最重要的行業,因為它們是各種產品和服務的基礎。 中國大陸在半導體領域的全球市場份額和競爭力,尤其是在總部設在中國的公司方面,在半導體領域仍然不大。半導體產業的全球領導者主要分佈在歐洲,日本,韓國,中國台灣和美國。 調研機構IDC則是表示,5G部署、數據中心、在家工作需求等將會成為推動2021年全球半導體市場規模成長的關鍵驅力。預估當年市場規模可望成長7%,達4,500億美元,其後會穩定以每年增加4~6%的幅度繼續成長至2024年,達到5,000億美元。 日前,國際知名市場調研機構Gartner公佈了2020年全球前十半導體企業名單。從中可以看到,美、韓等國家在頂尖半導體公司數量明顯多於中國。其中,美國憑技術實力佔據了六個名額。而且,美國半導體公司大都在各自領域有着不可撼動的市場地位。像是排名第一的英特爾,就是統治桌面終端CPU行業多年。 但需要注意的是,榜單上的美國企業,有一半營收增速都沒有跑贏大盤,這意味着其他新世代集運查詢物流在競爭上給到了這些企業足夠大的壓力,甚至已經開始瓜分其市場份額。 可能很多人都好奇,中國有幾家公司上榜? 榜單顯示,中國只有聯發科一家企業入圍前十。聯發科去年營收增長率達到38%,是榜單企業中最高的一家。雖然近年來日本電子、半導體產業在全球的領先優勢地位不斷地被後來者追趕並超越,根據國際半導體產業協會(SEMI)的數據顯示,日本企業在全球半導體材料市場佔比份額高達52%,而北美和歐洲僅僅各佔才15%左右; 特別是日本企業在全球新購半導體制造設備市場佔有率超過了30%,一直穩居在產業鏈上游。 目前中國大陸的芯片自給率仍然較低,核心類芯片生產能力比較缺乏。但同時,中國IC市場龐大,工業種類豐富,有利於發展芯片生產能力。政府政策也一直都在對半導體產業的進行扶持和幫助,從財税、投融資及人才等多方面地支持半導體產業各環節的發展。同時中芯國際、華為海思、紫光展鋭、中興微電子等本土公司也發展迅速,涉及多個領域,佈局較為全面,中國IC產業發展空間十分廣闊。 隨著整體電子產業在全球經濟成長中佔據重要地位,未來10年全球半導體產業前景看好,隨著5G物聯網(IoT)解決方案浮現,和芯片內(on-chip)數據分析技術的興起,半導體產業正在進入新一波發展超級週期。 此前,英偉達已決定斥資400億美元收購英國半導體設計巨頭ARM,無獨有偶,AMD也表示,未來將以350億美元收購美國賽靈思,賽靈思涉足用於通信基站等的半導體“FPGA”。對此,你怎麼看?你認為,接下來,全球半導體產業會發生怎樣的變化?各大巨頭營收情況又會如何?

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  • 開關模式電源電流檢測——第三部分:電流檢測方法

    開關模式電源電流檢測——第三部分:電流檢測方法

    開關模式電源有三種常用電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用MOSFET RDS(ON),以及使用電感的直流電阻(DCR)。每種方法都有優點和缺點,選擇檢測方法時應予以考慮。 檢測電阻電流 作為電流檢測元件的檢測電阻,產生的檢測誤差最低(通常在1%和5%之間),温度係數也非常低,約為100 ppm/°C (0.01%)。在性能方面,它提供精度最高的電源,有助於實現極為精確的電源限流功能,並且在多個電源並聯時,還有利於實現精密均流。 圖1.RSENSE電流檢測 另一方面,因為電源設計中增加了電流檢測電阻,所以電阻也會產生額外的功耗。因此,與其他檢測技術相比,檢測電阻電流監測技術可能有更高的功耗,導致解決方案整體效率有所下降。專用電流檢測電阻也可能增加解決方案成本,雖然一個檢測電阻的成本通常在0.05美元至0.20美元之間。 選擇檢測電阻時不應忽略的另一個參數是其寄生電感(也稱為有效串聯電感或ESL)。檢測電阻可以用一個電阻與一個有限電感串聯來正確模擬。 圖2.RSENSE ESL模型 此電感取決於所選的特定檢測電阻。某些類型的電流檢測電阻,例如金屬板電阻,具有較低的ESL,應優先使用。相比之下,繞線檢測電阻由於其封裝結構而具有較高的ESL,應避免使用。一般來説,ESL效應會隨着電流的增加、檢測信號幅度的減小以及佈局不合理而變得更加明顯。電路的總電感還包括由元件引線和其他電路元件引起的寄生電感。電路的總電感也受到佈局的影響,因此必須妥善考慮元件的佈局,不恰當的佈局可能影響穩定性並加劇現有電路設計問題。 檢測電阻ESL的影響可能很輕微,也可能很嚴重。ESL會導致開關柵極驅動器發生明顯振盪,從而對開關導通產生不利影響。它還會增加電流檢測信號的紋波,導致波形中出現電壓階躍,而不是預期的如圖3所示的鋸齒波形。這會降低電流檢測精度。 圖3.RSENSE ESL可能會對電流檢測產生不利影響。 為使電阻ESL最小,應避免使用具有長環路(如繞線電阻)或長引線(如厚電阻)的檢測電阻。薄型表面貼裝器件是首選,例子包括板結構SMD尺寸0805、1206、2010和2512,更好的選擇包括倒幾何SMD尺寸0612和1225。 基於功率MOSFET的電流檢測 利用MOSFET RDS(ON)進行電流檢測,可以實現簡單且經濟高效的電流檢測。LTC3878是一款採用這種方法的器件。它使用恆定導通時間谷值模式電流檢測架構。頂部開關導通固定的時間,此後底部開關導通,其RDS壓降用於檢測電流谷值或電流下限。 圖4.MOSFET RDS(ON)電流檢測 雖然價格低廉,但這種方法有一些缺點。首先,其精度不高,RDS(ON)值可能在很大的範圍內變化(大約33%或更多)。其温度係數可能也非常大,在100°C以上時甚至會超過80%。另外,如果使用外部MOSFET,則必須考慮MOSFET寄生封裝電感。這種類型的檢測不建議用於電流非常高的情況,特別是不適合多相電路,此類電路需要良好的相位均流。 電感DCR電流檢測 電感直流電阻電流檢測採用電感繞組的寄生電阻來測量電流,從而無需檢測電阻。這樣可降低元件成本,提高電源效率。與MOSFET RDS(ON)相比,銅線繞組的電感DCR的器件間偏差通常較小,不過仍然會隨温度而變化。它在低輸出電壓應用中受到青睞,因為檢測電阻上的任何壓降都代表輸出電壓的一個相當大部分。將一個RC網絡與電感和寄生電阻的串聯組合並聯,檢測電壓在電容C1上測量(圖5)。 圖5.電感DCR電流檢測 通過選擇適當的元件(R1 × C1 = L/DCR),電容C1兩端的電壓將與電感電流成正比。為了最大限度地減少測量誤差和噪聲,最好選擇較低的R1值。 電路不直接測量電感電流,因此無法檢測電感飽和。推薦使用軟飽和的電感,如粉芯電感。與同等鐵芯電感相比,此類電感的磁芯損耗通常較高。與RSENSE方法相比,電感DCR檢測不存在檢測電阻的功率損耗,但可能會增加電感的磁芯損耗。 使用RSENSE和DCR兩種檢測方法時,由於檢測信號較小,故均需要開爾文檢測。必須讓開爾文檢測痕跡(圖5中的SENSE+和SENSE-)遠離高噪聲覆銅區和其他信號痕跡,以將噪聲提取降至最低,這點很重要。某些器件(如LTC3855)具有温度補償DCR檢測功能,可提高整個温度範圍內的精度。 表1總結了不同類型的電流檢測方法及其優缺點。 表1.電流檢測方法的優缺點 表1中提到的每種方法都為開關模式電源提供額外的保護。取決於設計要求,精度、效率、熱應力、保護和瞬態性能方面的權衡都可能影響選擇過程。電源設計人員需要審慎選擇電流檢測方法和功率電感,並正確設計電流檢測網絡。ADI公司的LTpowerCAD設計工具和LTspice®電路仿真工具等計算機軟件程序,對簡化設計工作並獲得最佳結果會大有幫助。 其他電流檢測方法 還有其他電流檢測方法可供使用。例如,電流檢測互感器常常與隔離電源一起使用,以跨越隔離柵對電流信號信息提供保護。這種方法通常比上述三種技術更昂貴。此外,近年來集成柵極驅動器(DrMOS)和電流檢測的新型功率MOSFET也已出現,但到目前為止,還沒有足夠的數據來推斷DrMOS在檢測信號的精度和質量方面表現如何。 軟件 LTspice LTspice軟件是一款強大、快速、免費的仿真工具、原理圖採集和波形查看器,具有增強功能和模型,可改善開關穩壓器的仿真。 LTpowerCAD LTpowerCAD設計工具是一款完整的電源設計工具程序,可顯著簡化電源設計任務。它引導用户尋找解決方案,選擇功率級元件,提供詳細效率信息,顯示快速環路波特圖穩定性和負載瞬態分析,並可將最終設計導出至LTspice進行仿真。

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  • 台積電攻破3nm技術遇瓶頸,巨頭們芯片大戰一觸即發!

    台積電攻破3nm技術遇瓶頸,巨頭們芯片大戰一觸即發!

    最近,台積電又傳來消息,3nm芯片將於2021年內進行風險生產。風險生產對於一項新技術來説尤為重要,它可以檢測出產品早期存在的問題,所謂的“風險生產”指的是原型已經完成並經過了測試,但還沒有達到批量生產的程度。簡單來説就是先生產幾個試試,看有沒有什麼問題?如果沒有問題的話,就可以開始批量生產了。芯片流片的費用高昂,所謂流片就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟製造芯片,這就是流片。在一項新技術定型定性之後,芯片製造新世代集運查詢物流都會安排風險生產,測試出新工藝的良品率,從而確保大規模投產之後的風險可控。一旦風險生產過後,將進入小規模量產再到大規模量產。 展望過去,芯片業的需求量與日俱增,從最早的電腦到後來的功能手機,再到智能手機,而5G時代來臨之後,應用場景更加豐富,芯片的性能需要進一步提高,以應付這種激增的需求。 眾所周知,台積電是全球最大的芯片代工廠,為向蘋果、華為這樣的高科技公司製造先進的芯片。近來,在先進的5nm製造工藝之後,台積電又有了重大突破。台積電(TSMC)已確認其3nm生產節點有望在2022年下半年實現大規模生產。台積電估計,其3納米節點的密度至少是英特爾最新的10納米節點的兩倍半。從理論上講,台積電的3nm技術可使GPU的複雜度是AMD的新Radeon RX 6000系列芯片的三倍。 台積電在近日召開的國際固態電路研討會ISSCC 2021中,董事長劉德音表示3nm製程技術進度超前,預計會在今年下半年進入試產。台積電在先進製程領先的道路上一往無前,計劃3nm技術於2021年進入風險生產、在2022年開始量產,而英特爾的7nm預計最早推出也要到2022年末。 台積電衝得不僅快,良率還高。2018年有超過50款7nm芯片量產,代工方都是台積電。2019年,台積電代工的7nm芯片設計更是超過100種。蘋果、高通、華為、英偉達、AMD、賽靈思、聯發科等芯片巨頭都是台積電7nm的客户。 同時,台積電的7nm N7+工藝是全球第一個在大批量生產中採用EUV的節點,而向後兼容的N6邏輯密度又提高了18%。據台積電介紹,N6具有與N7相同的缺陷密度。 劉德音指出,3nm製程技術較5nm製程,將可讓電晶體密度提高70%,或令電功耗降低27%,3nm製程將於今年下半年進入試產,並且在2022年正式用於量產。“這是技術應用民主化的趨勢,我們將繼續穩步推進芯片級擴展、EUV增強,以及各種器件增強技術,如高遷移率溝道。”劉德音説。 在去年8月,台積電表示正研發4nm及3nm製程,計劃2022年量產,是次則是確定率先攻破3nm製程。此外,3nm工藝相比5nm晶體密度將提升70%,性能提升15%,功耗則降低30%。具體來説,蘋果A14芯片的晶體管數量是118億根,如果增加了70%的晶體管密度,那麼這塊小小的芯片將會容納多少根晶體管呢?其性能又將會帶來什麼變化呢? 台積電有這樣的部署並非無原因。三星電子是目前除了台積電之外,能夠量產5nm製程的半導體公司,在今年7月,三星計劃直接跳過4nm先進製程,轉向3nm製程的量產,並預計2022年量產。這樣兩企業想搶佔3nm製程先發者地位的意味更濃。 據悉,台積電已經拿下全球超過50%的芯片代工訂單,是第二名三星訂單量的三倍左右。而台積電最主要的工作還是量產7nm、5nm等先進製程的芯片。其中7nm芯片的量產數量已經超過10億顆,至於5nm芯片的表現也明顯要強於三星。可以説,台積電是當之無愧的全球芯片生產製造技術最先進的新世代集運查詢物流。 至於芯片製造領域的另一大新世代集運查詢物流三星,三星最近宣佈了計劃在2022年下半年縮小與台積電的差距,將在3nm工藝上大打出手。 台積電已宣佈將在台灣新竹建立一家晶圓廠,生產2nm芯片,但該公司尚未公佈2nm製程的確切研發時間表。 隨着時間推移,光刻成本逐漸降低,新的晶體管結構和新材料也出現一些重大突破。高精尖技術的不斷推進,在接下來的的四到五年內,就PC性能而言,前景看起來非常光明。此外,在更長遠的時代,如萬物聯網、人機結合、生物計算等,都需要大量的新型芯片,可以説,只要台積電能長期處在這樣的循環之中,不僅會讓自己的財務狀況越來越好,更會在經年累月中扼殺掉“競爭對手的追趕信心”。如果他們夠狠,又有政策支持,台積電在芯片業的位置有可能從“天下第一”變成“天下唯一”!

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  • 全球內存價格暴漲,國產芯片能否實現彎道超車?

    全球內存價格暴漲,國產芯片能否實現彎道超車?

    長期以來,中國在芯片市場缺少話語權和定價權,這導致國內一直被海外國際大廠壟斷。雖然我國已經在盡力追趕,但技術上仍然與國際大廠有不小的差距。 國內新世代集運查詢物流由於仍處於起步階段,存儲器的研發能否成功,未來幾年將是關鍵期;研發成功後,良率能否提升到較高水平,成本控制是否能夠達到預期,知識產權能否做到有效保護等,仍然有一定的不確定性;從研發成功至量產並形成銷售,仍然需要長達幾年時間。 存儲器是半導體行業的重要分支,在經歷了2015和2016年的持續走低後,2017年,全球存儲器市場迎來了爆發,增長率達到60%,銷售額超過1200億美元,佔全球半導體市場總值的30.1%。 20年下半年以來,全球汽車行業遭到芯片短缺的嚴重影響,不少一二線車企的部分工廠都已經因為“無芯可用”而被迫停工停產。 令人意想不到的是,汽車行業的缺芯現象已經逐漸蔓延至智能手機行業以及遊戲機行業。全球芯片短缺的狀況在2021年或將持續存在。 從去年底開始,DRAM內存市場價格下滑趨勢已經止住了,在停電、火災等意外因素影響下開始漲價,2021年全球內存漲價已經是定局。截止2月3日,8GB DDR4內存顆粒的報價來到3.93美元。要知道,在2020年8月,相關產品的報價僅為2.54美元。這短短六個月的時間,價格漲幅就達到54.7%。威剛DDR4-3200 16GB單條,去年11月是399元,截稿前已經漲到了569元。實際上,按照華邦電子的説法,DRAM和閃存價格的上揚將有助於公司在3、4月份實現營收增長。 內存接口芯片集成於DRAM內存模組(存儲介質)中,是服務器內存模組的核心邏輯器件,其主要作用是提升內存數據訪問的速度和穩定性,以匹配CPU日益提高的運行速度和性能。內存接口芯片具有較高的技術門檻,認證過程嚴格,尤以CPU新世代集運查詢物流認證最為關鍵,按功能劃分,內存接口芯片主要分為:寄存緩衝器(RCD)、數據緩衝器(DB)、內存緩衝器(MB/AMB)三類。 DDR是21世紀初主流內存規範,內存接口芯片技術經歷了DDR2、DDR3、DDR4世代,目前DDR4內存技術處於成熟期,隨着內存接口芯片的不斷升級,內存技術逐漸由DDR4向DDR5升級迭代,相比於前一代內存接口芯片,DDR5可以支持更低電壓工作環境及更高的運行速率。 其實,全球半導體目前正經歷着大缺貨,雪上加霜的是,美國得州遭遇重大自然災害,日本福島發生7.3級地震,導致部分半導體新世代集運查詢物流暫時停產,比如三星的S2晶圓廠。 由於市場供不應求、供需狀況得到控制,再加上智能手機、服務器市場的迅速增長,2020年的內存行業還是十分賺錢的內存行業的寡頭現象也是越來越明顯,前五大新世代集運查詢物流拿走了81%毛利潤,前十大新世代集運查詢物流則佔了總收入的92%。但這對於國產芯片而言,卻是一個不可多得的機遇。 在全球內存版圖中,三星、SK海力士及美光是三大巨頭,合計佔據全球95%以上的產能,其他新世代集運查詢物流的份額非常小,後來的競爭者面臨着強大的壓力。 相比三星等新世代集運查詢物流進軍第三代、第四代10nm級內存工藝(1Znm之後),國產內存的19nm工藝還是第一代的,好在合肥長鑫之前已經表態會攻克17nm工藝,達到第二代10nm級工藝的水平,同時還會推出DDR5、LPDDR5等新標準內存。 以內存芯片為例。時至今日,三星等頭部新世代集運查詢物流已經在進軍第三代、第四代(10nm級別)內存工藝。反觀國產內存芯片的工藝依然停留在19nm,而且還是第一代。 對國產新世代集運查詢物流來説,2021年內存漲價是個極好的機遇,但面臨的挑戰也不少,主要來自於技術及產能上的。近年來,中國芯片產業的崛起之勢全球有目共睹。由於美國芯片出口的規則改變,全球芯片出口格局也在發生重大變化。為此,中國也在加快步伐,試圖儘快實現芯片國產化,其中最為典型的就是中科院,該院上週已經宣佈,要將光刻機等關鍵設備列入科研清單。最後也希望屬於我們自己的光刻機早日可以研發出來,製造出屬於我們自己的核心芯片,不再受外國力量的制裁和牽制。

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  • 100%自研7nm芯片!華為之後又一家巨頭芯片“崑崙2”將量產

    100%自研7nm芯片!華為之後又一家巨頭芯片“崑崙2”將量產

    中國有很多科技巨頭均自研過芯片,比如華為海思研發了麒麟,阿里平頭哥研發出含光,紫光研發出虎賁,還有小米也曾研發出澎湃芯片等等。 大家都知道,國內芯片產業的發展是落後於國際水平的,尤其是最近兩年,每年的芯片進口額都趕超了石油,達到了3000億美元。對此,我國專門針對芯片產業的發展制定了一項計劃,爭取2025年,我國芯片完成從30%到70%自給自足的轉變。這也就説明了,唯有掌握“自主核心技術”、掌握芯片研發實力,才能夠進一步確保我國各項業務在行業內的競爭優勢以及行業話語權 相信大家都知道,自從華為 / 中興事件發生以後,國產芯片、國產操作系統發展就受到了廣大網友們的高度關注,尤其是國產自研芯片產品,例如華為海思、阿里平頭哥、紫光展鋭、小米澎湃等等,都成為了廣大網友們所關注的焦點,因為唯有掌握 " 自主核心技術 ",掌握芯片研發實力,才能夠進一步確保自家業務在行業內的競爭優勢以及行業話語權,避免遭受到 " 卡脖子 " 的尷尬局面,所以我們才看到了阿里巴巴、格力等非半導體企業紛紛宣佈 " 造芯 " 計劃。 國內的科技企業也徹底覺醒了,認清了我們在半導體領域的劣勢,在芯片核心技術上面的缺失,也讓我們在獲取芯片的過程中受到了刁難,目前已經有越來越多的企業開始從事芯片的自主研發。 就拿現如今國內最重視的半導體行業來説,華為作為最強大的國產芯片設計公司,其推出的麒麟系列處理器做到了名揚海內外。儘管去年美國為了針對華為的發展,單方面修改了芯片進出口規則,導致麒麟芯片的生產無法再正常進行,但是這並不能阻止華為繼續進步的腳步。 中國高科技的企業華為,畢竟建立在雄厚的科研實力下,華為不僅掌握着全球最多5G專利技術,旗下的高端旗艦產品更是遠銷海外。正是因為如此,在諸多領域有着傑出成就的華為,也成為了美國政府的眼中釘。 去年12月16日中芯國際聯合CEO梁孟松意外遞交辭呈,緊接着中芯國際被美國商務部列入“實體清單”。從梁博士遞交的辭呈中不難發現短短三年時間中芯國際完成多個技術節點的突破,7nm技術的開發也已經完成,未來光刻機到位就可以進入全面的發展階段。 又一中國科技巨頭“出手了” 這家科技巨頭就是家喻户曉的百度公司,雖然在大多數人的印象中,百度只是一家以互聯網業務為主的企業,百度的7nm芯片便屬於崑崙雲端體系,從最開始的14nm的崑崙1芯片升級到了7nm製程,命名很簡單,就叫做崑崙2。工藝製程的進步就意味着芯片的性能會得到很大的提升,百度崑崙2相較於崑崙1而言,各方面的表現都更加出色。 百度還將充分發揮領先的互聯網平台優勢,在雲、AI、互聯網融合發展的大趨勢下,積蓄起支撐未來發展的強大勢能,形成多引擎的增長新格局。AI芯片已成為科技競爭的制高點,只有通過在AI處理器的佈局才可以在激烈的競爭中出奇制勝。不得不説,這是一款針對百度核心業務打造的雲端全功能AI芯片。 那麼崑崙系列芯片到底有什麼作用呢?或者説百度打算將自研的7nm芯片用在什麼地方? 此款7nm工藝崑崙2芯片是針對AI和人工智能領域研發的成果,該芯片將在工業互聯網、搜索引擎和智能交通等重要領域實現應用。 只有強大的自研能力才能保證企業在激烈的複雜環境中屹立不倒,“拿來主義”雖然可以短時間內實現跨越式發展,但隨着時間的推移終究會被邊緣化。 在自研芯片的道路上,目前國內的眾多企業已經取得了突破,華為海思已經研發出了5nm的麒麟芯片,阿里巴巴的平頭哥半導體也順利研發出了芯片含光,而紫光展鋭的虎賁也已經成功問世,小米的澎湃芯片也有了階段性進展,而這些也僅僅是自研芯片的冰山一角。 時至今日,華為已經憑藉着毋庸置疑的實力成為當之無愧的中國科技巨頭,其在5G方面的建樹更是令一眾國內企業望塵莫及。 也希望我們國內能夠再多出幾個這樣的科技巨頭,屆時我們相關方面就不會再受其掣肘,實現真正的科技騰飛! 如果國內能有更多這樣的企業挺身而出,中國的芯片行業何愁發展不起來,對此你們有什麼看法呢?

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